硅晶片上的氧化膜、抗蝕劑等自動膜厚檢測設(shè)備介紹
具有缺口檢測、自動基線功能和聯(lián)鎖機制的 F50 型號
自動測量對準、基線和薄膜厚度映射
半導(dǎo)體 | 抗蝕劑、氧化膜、氮化膜、非晶/多晶硅等 |
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模型 | F60-t | F60-t-UV | F60-t-NIR | F60-t-EXR |
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測量波長范圍 | 380 – 1050nm | 190 – 1100nm | 950 – 1700nm | 380 – 1700nm |
膜厚測量范圍 | 20nm – 70μm | 5nm – 40μm | 100nm – 250μm | 20nm – 250μm |
準確性 | ± 0.2% 薄膜厚度 | ± 0.4% 薄膜厚度 | ± 0.2% 薄膜厚度 | |
2納米 | 1納米 | 3納米 | 2納米 |
可以測量硅晶片上的氧化膜、抗蝕劑等。只需設(shè)置樣本和對齊,參考等將自動完成。
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硅襯底上氧化膜的測量
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